P沟道场效应管(PMOS)是场效应管的一种,是由负型,中性区域,正型单管共删掉极的三层异质材料(PSi N-well,P Poly-Si gate,和N source/drain),它能够在NMOSFET不能工作的等离子体处理设备中正常工作。
与N沟道场效应管(NMOS)相比,P沟道场效应管具有较高的电子迁移率,更优秀的电流噪声,但速度较慢,功耗较大。同时,P沟道场效应管的制作工艺相对复杂,成本也较高。
在一些电路中,P沟道场效应管有着不可替代的作用,例如在大型储存器件DRAM中,由于具有高阻抗输入,它可以被用于输入缓冲。P沟道场效应管也可以被用于驱动高压负载和直接接口 CMOS 逻辑电路与高电压和负电压外围电路。